长沙驰芯半导体申请用于微处理器数据存储专利，实现Flash的磨损均衡
2025-10-0797
金融界2024年10月17日消息，国家知识产权局信息显示，长沙驰芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于微处理器数据存储的方法及装置”的专利，公开号CN118778897A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明
提供一种用于微处
理器数据存储的方
法及装置，方法包
括：将Flash的至少
两个Sector用作数
据存储区域；将所
述至少两个Sector划分为多条Record；将要写入Flash的数据
转换为一条Record，依次写入到所述Flash的每条Record里；所
述每条Record通过Index来比较新老关系，将最新的Record作
为有效Record。本发明提供的用于微处理数据存储的方法及装
置，实现了Flash的磨损均衡，同时防止擦写掉电导致的数据丢
失，且兼容支持ECC校验的Flash。
本文源自金融界
